利用UV暴光技能研制單根定向碳納米管陣列冷負(fù)極

利用UV暴光技能研制單根定向碳納米管陣列冷負(fù)極
　　 經(jīng)過一般的紫外(UV)光刻工藝,聯(lián)合“變傾斜角縮口”新技能,研制了相反發(fā)射單元尺寸的碳納米管(CNTs)陣列負(fù)極。掃瞄電鏡綜合表明,隨著縮口尺寸的順次減小(從0.6μm到0.4μm,最初到0.2μm),發(fā)射單元內(nèi)CNTs的根數(shù)也一直縮小。當(dāng)孔徑縮至0.2μm時,發(fā)射單元僅由1根～3根CNTs組成,況且大全體單元頂端均有單根CNT伸出,使得整個發(fā)射體相近于單根CNT。場發(fā)射特點(diǎn)測試后果表明,0.2μm發(fā)射單元尺寸的陣列負(fù)極,開啟磁場約2V·μm-1;當(dāng)場強(qiáng)為20V·μm-1時,該陣列的直流電密度達(dá)成0.35A·cm-2,比1μm尺寸的陣列負(fù)極普及了近4倍,比陸續(xù)成長的地膜CNTs負(fù)極則高1～2個單位級。
　　 碳納米管(CNTs)是一種優(yōu)異的場發(fā)射體資料。其穩(wěn)固的物理和化學(xué)性質(zhì)和自身的高縱橫比,使其能夠失掉更穩(wěn)固、更大的發(fā)射直流電,無望變成真空微電子器件中很有后勁的負(fù)極電子源。然而,在基片上成長的定向陸續(xù)的CNTs,管之間的間距很小,存在重大的磁場屏蔽效應(yīng),使得CNTs發(fā)射體尖端的場壯大大削弱,因而負(fù)極的發(fā)射直流電密度很低。利用光刻技能,將陸續(xù)成長的CNTs圖形化是普及發(fā)射直流電密度的一種方法。咱們曾經(jīng)利用UV光刻技能打造了單元直徑為1μm的CNTs陣列負(fù)極,普及了負(fù)極的發(fā)射直流電密度。然而,圖形化陣列的每個發(fā)射單元中仍有許多CNTs,它們之間的屏蔽效應(yīng)仍然存在,因而發(fā)射直流電密度仍制約在多少十毫安每平方厘米。
　　 為了最大限度地防止磁場屏蔽作用,務(wù)必打造單根的、天各一方散布的定向CNTs陣列負(fù)極。劍橋大學(xué)的Milne等采納電子束光刻技能,經(jīng)過掌握催化劑顆粒的尺寸在100nm～200nm,打造出600μm×600μm的單根定向CNTs陣列負(fù)極。在磁場為21V·μm-1時,獲得0.7A·cm-2的直流電密度。并將該負(fù)極利用在微波真空三極管中,測得作業(yè)直流電密度達(dá)成1A·cm-2,調(diào)制效率為1.5GHz,預(yù)期的作業(yè)效率可達(dá)成30GHz～100GHz。顯然,這種大直流電密度的二極式單根定向CNTs陣列負(fù)極,在更高效率的微波電真空器件中存在潛在的利用價格。
　　 依據(jù)眼前海內(nèi)外的簡報(bào),電子束暴光是絕無僅有一種打造單根定向CNTs陣列的路徑。然而,電子束暴光技能須要專用的設(shè)施,不僅價錢低廉,而且作業(yè)效率較低,正常僅局限在個別的試驗(yàn)室運(yùn)用。與此相比,眼前海內(nèi)外大規(guī)模運(yùn)用的光刻技能,用一般的紫外暴光。這種技能成熟、工藝容易、利潤低,況且能夠批量生產(chǎn)。因而,那末能用UV光刻技能打造單根CNTs陣列負(fù)極,將為兌現(xiàn)單根CNTs負(fù)極的理論利用奠定根底。
　　 咱們已經(jīng)簡報(bào)過,利用UV光刻技能打造發(fā)射單元直徑為1μm的圖形化CNTs陣列負(fù)極。因?yàn)閁V技能的滿分辨率是0.7μm,因而1μm尺寸的CNTs發(fā)射單元曾經(jīng)達(dá)成該技能的極限尺寸。而成長單根CNT務(wù)求催化劑的面積小于200nm,因而僅用UV技能無奈兌現(xiàn)單根CNT的成長。為此,白文提出了一種新技能———“變傾斜角縮口”技能,該技能可進(jìn)一步放大孔徑,打造了發(fā)射單元尺寸別離為0.6μm、0.4μm和0.2μm的負(fù)極,其中0.2μm尺寸的負(fù)極發(fā)射體已瀕臨單根CNT。
1、試驗(yàn)步驟
1.1、單根CNTs陣列負(fù)極的設(shè)計(jì)
　　 制約二極式定向CNTs陣列負(fù)極直流電密度的重要成分是CNT之間的磁場屏蔽效應(yīng)。通常成長的CNTs之間的間距都比擬瀕臨,每根CNT頂端的磁場強(qiáng)度因?yàn)樗闹蹸NT的屏蔽作用而大大削弱,使負(fù)極的發(fā)射直流電密度升高。因而,在單根CNT陣列負(fù)極的打造之前,務(wù)必對陣列的構(gòu)造尺寸繼續(xù)正當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)。
　　 圖1是二極式單根CNT陣列負(fù)極的構(gòu)造模子示用意。它由負(fù)極組件和一個呆滯陽極組成,負(fù)極組件則囊括n2Si(100)襯底、氮化鈦緩沖層和挺立的單根CNT陣列。CNT之間的直徑為D,間距為d,高為h,襯底與陽極之間的間隔為L。
　　 設(shè)CNT的高h(yuǎn)=3μm和直徑D=50nm(CNT的高和直徑是依據(jù)制備CNT的具體試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定的),陽極與襯底的間隔L=10μm,僅改觀CNT之間的間距d,模仿劃算屏蔽效應(yīng)答負(fù)極場發(fā)射特點(diǎn)的莫須有,失去CNT頂端的磁場強(qiáng)度E和間距d的關(guān)系曲線如圖2所示。
圖1　二極式單根CNT陣列負(fù)極的構(gòu)造模子示用意　　圖2　h=3μm,d相反聲,磁場強(qiáng)度變遷曲線
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3、論斷
　　 利用一般UV暴光工藝,打造出相反單元尺寸的CNTs陣列負(fù)極。掃描電鏡綜合表明,陣列存在較好的統(tǒng)一性,發(fā)射單元均呈圓扇形;隨著縮口尺寸的減小,發(fā)射單元內(nèi)CNTs的根數(shù)縮小。當(dāng)縮口至0.2μm時,陣列中的發(fā)射單元由1根～3根CNTs組成,頂端均有單根CNT伸出,使得發(fā)射體瀕臨于單根CNT。場發(fā)射特點(diǎn)測試表明,0.2μm單元尺寸的CNTs負(fù)極,發(fā)射直流電密度比未縮口前的1μm單元尺寸的負(fù)極普及了近4倍,比基片上陸續(xù)成長的CNT負(fù)極普及1～2個單位級。
　　 白文鉆研的一種“變傾斜角縮口”技能克服了打造這種單根CNT陣列負(fù)極的要害難點(diǎn)。。它可無效戰(zhàn)勝就義層縮口中涌現(xiàn)的“瓶頸景象”,使縮口達(dá)成200nm或更小,為打造單根CNTs陣列負(fù)極奠定了根底。下一步作業(yè)須要進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù),普及CNT的挺立定向性,接續(xù)改善陣列的統(tǒng)一性,打造發(fā)射特點(diǎn)更好的單根定向CNTs陣列負(fù)極。